砷化鈮納米帶

3月19日，材料領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)期刊《自然·材料》，發(fā)表復(fù)旦大學(xué)修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)最新研究論文，《外爾半金屬砷化鈮納米帶中的超高電導(dǎo)率》，制備出二維體系中具有目前已知最高導(dǎo)電率的外爾半金屬材料-砷化鈮納米帶。導(dǎo)電材料是電子工業(yè)的基礎(chǔ)，現(xiàn)在最主要的材料是銅，已大規(guī)模用于晶體管的互連導(dǎo)線。信息時(shí)代，計(jì)算機(jī)和智能設(shè)備體積越來(lái)越小，信號(hào)傳輸量爆炸式增長(zhǎng)，芯片中上千萬(wàn)細(xì)如發(fā)絲的晶體管互連導(dǎo)線“運(yùn)送壓力”隨之加大。而當(dāng)銅變得很薄，進(jìn)入二維尺度時(shí)，電阻變大，導(dǎo)電性迅速變差，功耗大幅度增加。這也是制約芯片等集成電路技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的重要瓶頸。修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)新研制的砷化鈮納米帶材料，電導(dǎo)率是銅薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍。復(fù)旦大